Sozlanishi kommutatsiya quvvat manbai qanday tahlil qilinadi?
Kommutatsiya quvvat manbai yuqori samaradorlikka ega. Sozlanishi kuchlanish/oqim quvvat manbalari Li-Ion/batareya zaryadlovchilari yoki quvvat manbalari kabi ko'plab ilovalar uchun yangi vositalardir. Ushbu kommutatsiya quvvat manbai qurilishi sozlanishi dastgohli quvvat manbaini talab qiladi. Ushbu quvvat uchun chiziqli topologiyadan (2400W=2.4kVt!) foydalanish mumkin emas, shuning uchun ikkita musbat kalit (yarim boshqariladigan ko'prik) kommutatsiya topologiyasi tanlangan. IGBT tranzistorlari quvvat manbalarini almashtirishda ishlatiladi va chiplar tomonidan boshqariladi.
Ta'minot kuchlanishi birinchi navbatda EMI shovqin filtridan o'tadi. Keyin u ko'prik rektifikatori bilan tuzatiladi va kondansatkichlar bilan tekislanadi. Yuqori sig'im tufayli o'rni kontaktlari va R2 qarshiligi bo'lgan oqim cheklovchi sxemasi mavjud. R1 rezistori bilan 17V ta'minotdan siqilgan 12V (AT/ATXPC quvvat manbai orqali) bilan ishlaydigan o'rni bobini va fan. R1 ning qiymatini tanlang, shunda o'rni bobini va fandagi kuchlanish 12V ga etadi. Elektr pallasida TNY267 ishlatiladi. Bu erda tasvirlangan deyarli bir xil quvvat manbai. 230VDC dan past bo'lsa, R27 tomonidan taqdim etilgan past kuchlanish himoyasi ochilmaydi. Tekshirish pallasida chiqish chastotasi 50 kHz, ish aylanishi esa 47 foizni tashkil qiladi. Elektr ta'minoti Zener diyoti bilan ta'minlanadi va Zener diyoti quvvat manbai kuchlanishini 5,6 ga aylantiradi. V (ya'ni 11,4 V gacha) va 7,9 V (past) va 8,5 V (yuqori) UVLO chegaralari 13,5 V va 14,1 V ga o'tkaziladi. Keyin chip 14,1 V da ishlay boshlaydi va 13,5 V dan past ishlamaydi, shu bilan IGBT tranzistorlarini to'yinganlikdan himoya qiladi.
