Yagona chipli kommutatsiya quvvat manbai sxemasining dizayn talablari
(1) Top Switch-II ning qayta aloqa pallasida uni chiqish pallasidan ajratib olish uchun fotoelektrik ulash moslamasi bilan jihozlangan bo'lishi kerak. Nozik kommutatsiya quvvat manbaini loyihalashda namuna olish pallasida kuchlanish regulyatorini almashtirish uchun tashqi xato kuchaytirgichni hosil qilish uchun TL431 sozlanishi nozik korrelyatsiya regulyatori qo'shilishi kerak. Nozik kommutatsiya quvvat manbaining kuchlanishni tartibga solish tezligi Sv va oqimni tartibga solish tezligi Sl taxminan 0,2% ga yetishi mumkin, bu chiziqli integratsiyalangan tartibga solinadigan quvvat manbai indeksiga yaqin.
(2) pC817A, NEC2501, 6N137 va boshqalar kabi chiziqli o'zgaruvchan oqim uzatish nisbati (CTR) bo'lgan optokupllarni tanlash kerak. 4N25, 4N35 va boshqa 4N × × oddiy optokupllarni qabul qilish tavsiya etilmaydi. Ikkinchisi yomon chiziqlilikka ega, bu analog signallarni uzatishda buzilishlarni keltirib chiqaradi va kommutatsiya quvvat manbaining kuchlanish barqarorlashuviga ta'sir qiladi.
(3) Yuqori chastotali transformatorning birlamchi qismi qochqin indüktansından kelib chiqadigan eng yuqori kuchlanishni o'zlashtirish va MOSFET shikastlanmasligini ta'minlash uchun himoya davri bilan ta'minlanishi kerak. Ushbu himoya sxemasi birlamchiga parallel ravishda ulanishi kerak va to'rtta o'ziga xos dizayn sxemasi mavjud: ① vaqtinchalik kuchlanishni bostirish diodidan (TVS) va o'ta tez tiklash diodidan (SRD) tashkil topgan siqish davri; (2) TVS va silikon rektifikatordan (VD) tashkil topgan siqish sxemasi; (3) qarshilik sig'im elementi va SRD dan tashkil topgan yutilish davri; (4) qarshilik sig'im komponenti va VD dan tashkil topgan yutilish davri. Yuqoridagi sxemalar orasida ① eng yaxshisi bo'lib, u juda tez javob tezligi va yuqori energiyali vaqtinchalik impuls kabi TVS afzalliklarini to'liq o'ynashga imkon beradi. 2-sxema ikkinchisi.
(4) Chipdan foydalanganda mos radiator qo'shilishi kerak. TO-220 paketi uchun u to'g'ridan-to'g'ri kichik doskaga o'rnatilishi mumkin. DIp-8 va SMD-8 paketlari uchun issiqlik qabul qiluvchi o'rniga 2,3 maydonga ega bo'lgan mis bilan qoplangan bosma taxtada to'rtta manba payvandlanishi mumkin.
(5) Elektr tarmog'idan kelib chiqadigan shovqinlarni bostirish va kommutatsiya quvvat manbai tomonidan hosil bo'ladigan shovqinning tashqi tomonga uzatilishini oldini olish uchun EMI filtrini (shuningdek, quvvat manbai shovqin filtri (pNF) deb ham ataladi) qo'shish kerak. )) quvvat manbaining kiruvchi terminalida.
(6) Ushbu turdagi chipdan foydalanganda manba kabeli imkon qadar qisqa bo'lishi kerak. Yuksiz yoki engil yuk ostida chiqish kuchlanishini barqaror qilish uchun, minimal yuk sifatida tartibga solinadigan quvvat manbaining chiqish terminaliga bir necha yuz ohmlik rezistor ulanishi kerak yoki kuchlanishni barqarorlashtiruvchi trubka parallel ravishda ulanishi mumkin.
