Yagona chipli kommutatsiya quvvat manbalari uchun sxemani loyihalash xususiyatlari
(1) TOpSwitch-II ning teskari aloqa sxemasi uni chiqish pallasidan ajratib olish uchun fotokupl bilan jihozlangan bo'lishi kerak. Nozik kommutatsiya quvvat manbaini loyihalashda namuna olish pallasida regulyator trubkasini almashtirish uchun tashqi xato kuchaytirgichni yaratish uchun TL431 sozlanishi aniqlik bilan bog'liq kuchlanish regulyatori ham qo'shilishi kerak. Nozik kommutatsiya quvvat manbaining kuchlanishni sozlash tezligi Sv va oqimni sozlash tezligi Sl taxminan ±0,2 foizga yetishi mumkin, bu chiziqli integratsiyalangan tartibga solinadigan quvvat manbai indeksiga yaqin.
(2) pC817A, NEC2501, 6N137 va boshqa modellar kabi oqim uzatish nisbati (CTR) chiziqli o'zgarishiga ega optokupllarni tanlash kerak va 4N25 va 4N35 kabi 4N × × tipidagi oddiy optokupller tavsiya etilmaydi. Ikkinchisi zaif chiziqlilikka ega va analog signallarni uzatishda buzilishlarni keltirib chiqaradi, bu esa kommutatsiya quvvat manbaining kuchlanishni tartibga solish ishiga ta'sir qiladi.
(3) Yuqori chastotali transformatorning birlamchi tomoni qochqin indüktansdan kelib chiqadigan eng yuqori kuchlanishni o'zlashtirish va MOSFET ning shikastlanmaganligini ta'minlash uchun himoya davri bilan jihozlangan bo'lishi kerak. Ushbu himoya sxemasi birlamchiga parallel ravishda ulanishi kerak va 4 ta maxsus dizayn sxemasi mavjud:
①Sikish pallasi vaqtinchalik kuchlanishni bostirish diodidan (TVS) va o'ta tez tiklanadigan dioddan (SRD) iborat;
②TVS va kremniy rektifikatordan (VD) tashkil topgan siqish sxemasi;
③RC elementlari va SRD dan tashkil topgan changni yutish sxemasi;
④ RC komponentlari va VD dan tashkil topgan changni yutish sxemasi. Yuqoridagi sxemalar orasida ① ning ta'siri eng yaxshisidir, bu juda tez javob tezligi va yuqori energiyali vaqtinchalik puls bilan TVS afzalliklariga to'liq o'ynash imkonini beradi. Keyingi variant ②.
(4) Chipni ishlatganda, mos keladigan issiqlik moslamasi talab qilinadi. TO-220 paketi uchun u to'g'ridan-to'g'ri kichik hajmli doskaga o'rnatilishi mumkin. DIp-8 va SMD-8 paketlari uchun issiqlik qabul qiluvchini almashtirish uchun bosilgan elektron platada 2,3 maydonga ega mis folga ustida 4 ta manba lehimlanishi mumkin.
(5) Elektr tarmog'idan kiritilgan shovqinlarni bostirish va kommutatsiya quvvat manbai tomonidan hosil bo'ladigan shovqinni tashqi tomonga uzatilishining oldini olish uchun quvvat manbaiga birinchi bosqichli elektromagnit shovqin filtrini (EMI filtri) qo'shish kerak. kirish uchi, shuningdek, quvvat shovqin filtri (pNF) sifatida ham tanilgan.
(6) Ushbu turdagi chiplardan foydalanganda manba kabeli imkon qadar qisqa bo'lishi kerak. Yuksiz yoki engil yukda chiqish kuchlanishini barqarorlashtirish uchun minimal yuk sifatida tartibga solinadigan quvvat manbaining chiqish terminaliga bir necha yuz ohmlik qarshilik ulanishi kerak yoki parallel ravishda zener trubkasi ulanishi mumkin.
