Multimetr bilan tranzistorlarni o'lchash texnikasi va usullari
Transistor elektrodlari va kolba turlarini kamsitish
(1) Vizual tekshirish usuli
① Quvur turini aniqlash
Odatda, quvur turi NPN yoki PNP bo'ladimi, quvur qobig'ida belgilangan model bilan ajralib turishi kerak. Vazirlik standartlariga muvofiq, tranzistor modelining ikkinchi raqami (harfi) A va C PNP quvurlarini, B va D NPN quvurlarini ifodalaydi, masalan:
3AX PNP tipidagi past chastotali past quvvatli tranzistor va 3BX NPN tipidagi past chastotali past quvvatli tranzistordir.
3CG - PNP tipidagi yuqori chastotali past quvvatli tranzistor va 3DG - NPN tipidagi yuqori chastotali past quvvatli tranzistor.
3AD - bu PNP tipidagi past chastotali yuqori quvvatli tranzistor va 3DD - NPN tipidagi past chastotali yuqori quvvatli tranzistor.
3CA PNP tipidagi yuqori chastotali yuqori quvvatli tranzistor va 3DA NPN tipidagi yuqori chastotali yuqori quvvatli tranzistordir.
Bundan tashqari, xalqaro miqyosda mashhur 9011-9018 seriyali yuqori chastotali past quvvatli quvurlar mavjud, 9012 va 9015 uchun PNP quvurlari bundan mustasno, ularning barchasi NPN tipidagi quvurlardir.
② Quvur qutblarini diskriminatsiya qilish
Odatda ishlatiladigan kichik va o'rta quvvatli tranzistorlar metall dumaloq qobiqlarga va plastik qadoqlarga (yarim silindrsimon) ega. T305-rasmda uchta tipik shakl va elektrodlarni joylashtirish usullari keltirilgan.
(2) Qarshilik oralig'ini aniqlash uchun multimetrdan foydalanish
Transistorning ichida ikkita PN birikmasi mavjud bo'lib, ular multimetr qarshilik diapazoni yordamida uchta qutb e, b va c ni ajratish uchun ishlatilishi mumkin. Loyqa modelni markalashda bu usul quvur turini ajratish uchun ham ishlatilishi mumkin.
① Bazani kamsitish
Transistor elektrodini ajratganda, avvalo, asosiy elektrodni tasdiqlash kerak. NPN quvurlari uchun qora simni taxmin qilingan taglikka va qizil simni boshqa ikkita qutbga ulang. Agar o'lchangan qarshilik kichik bo'lsa, u bir necha yuzdan bir necha ming ohmgacha bo'ladi; Qora va qizil problar almashtirilganda, o'lchangan qarshilik nisbatan yuqori bo'lib, bir necha yuz kiloohmdan oshadi. Ushbu nuqtada qora prob asosiy elektrodga ulanadi. PNP trubkasi, vaziyat aksincha. O'lchashda, ikkala PN birikmasi ham ijobiy tomonga yo'naltirilgan bo'lsa, qizil prob asosiy elektrodga ulanadi.
Aslida, kam quvvatli tranzistorlar bazasi odatda uchta pinning o'rtasida joylashgan. Yuqoridagi usul mos ravishda qora va qizil zondlarni bazaga ulash uchun ishlatilishi mumkin, bu nafaqat tranzistorning ikkita PN birikmasi buzilmaganligini aniqlashi mumkin (diodli PN birikmalari uchun o'lchash usuliga o'xshash), balki trubkani ham tasdiqlashi mumkin. turi.
② Kollektor va emitent o'rtasidagi diskriminatsiya
Asosiy elektrodni aniqlagandan so'ng, qolgan pinlardan biri kollektor elektrodi c, ikkinchisi esa emitent elektrod e bo'lsin. C va b elektrodlarini mos ravishda chimchilash uchun barmoqlaringizdan foydalaning (ya'ni, Rb taglik qarshiligini almashtirish uchun barmoqlaringizdan foydalaning). Shu bilan birga, multimetrning ikkita probini mos ravishda c va e bilan bog'lang. Agar tekshirilayotgan trubka NPN bo'lsa, c qutb bilan aloqa qilish uchun qora zonddan va elektron qutbni (PNP trubkasiga qarama-qarshi) ulash uchun qizil zonddan foydalaning va ko'rsatgichning egilish burchagini kuzating; Keyin boshqa pinni c-qutb sifatida o'rnating, yuqoridagi jarayonni takrorlang va ikki marta o'lchangan ko'rsatgichning burilish burchagini solishtiring. Kattaroq bo'lsa, IC katta, kolba esa kattalashgan holatda. c va e qutblari uchun mos keladigan taxminlar to'g'ri.
2. Transistorlar ishlashini oddiy o'lchash
(1) ICEO ni o'lchash va
Asosiy elektrod ochiq va multimetrning qora simi NPN trubasining kollektor c ga, qizil sim esa emitent e (PNP trubkasiga qarama-qarshi) ulangan. Hozirgi vaqtda c va e o'rtasidagi yuqori qarshilik qiymati past ICEO ni ko'rsatadi, past qarshilik qiymati esa yuqori ICEO ni ko'rsatadi.
Rb asosiy qarshiligini barmog'ingiz bilan almashtiring va yuqoridagi usul yordamida c va e orasidagi qarshilikni o'lchang. Agar qarshilik qiymati taglik ochiq bo'lganidan ancha kichik bo'lsa, bu yuqori qiymatni bildiradi.
(2) hFE diapazonini o'lchash uchun multimetrdan foydalaning
Ba'zi multimetrlarda hFE diapazoni mavjud va joriy kuchaytirish omili tranzistorni o'lchagichda belgilangan polaritega muvofiq kiritish orqali o'lchanishi mumkin , agar u juda kichik yoki nolga teng bo'lsa, bu tranzistorning shikastlanganligini ko'rsatadi. Ikkita PN birikmasini qarshilik diapazoni yordamida o'lchash mumkin, bu buzilish yoki ochiq kontaktlarning zanglashiga olib keladi.
3. Yarimo'tkazgichli triodlarni tanlash
Transistorlarni tanlash birinchi navbatda uskuna va sxemalar talablariga javob berishi kerak, ikkinchidan esa saqlash printsipiga mos kelishi kerak. Turli maqsadlarga ko'ra, odatda quyidagi omillarni hisobga olish kerak: ish chastotasi, kollektor oqimi, tarqaladigan quvvat, oqim kuchayish koeffitsienti, teskari buzilish kuchlanishi, barqarorlik va to'yinganlik kuchlanishining pasayishi. Bu omillar o'zaro cheklovchi munosabatlarga ega va menejmentni tanlashda ikkinchi darajali omillarni hisobga olgan holda asosiy qarama-qarshilikni tushunish kerak.
Past chastotali quvurlarning xarakterli chastotasi fT odatda 2,5 MGts dan past, yuqori chastotali quvurlarning fT chastotasi o'nlab MGts dan yuzlab MGts gacha yoki undan ham yuqori. Quvurlarni tanlashda fT ish chastotasidan 3-10 marta bo'lishi kerak. Printsipial jihatdan yuqori chastotali quvurlar past chastotali quvurlarni almashtirishi mumkin, ammo yuqori chastotali quvurlarning kuchi odatda nisbatan kichik va dinamik diapazon tor. O'zgartirish paytida quvvat sharoitlariga e'tibor berish kerak.
Umumiy umid Kattaroq o'lchamni tanlang, lekin bu yaxshiroq emas. Juda baland, o'rtacha emas, balki o'z-o'zidan tebranishlarni osongina keltirib chiqarishi mumkin Yuqori quvurlarning ishlashi ko'pincha beqaror va haroratga katta ta'sir qiladi. odatda 40 va 100 orasida bir nechta tanlov, lekin past shovqin va yuqori shovqin bilan Qiymat quvurlari (masalan, 1815, 9011-9015 va boshqalar), qiymat bir necha yuzga yetganda harorat barqarorligi hali ham yaxshi. Bundan tashqari, butun sxema bo'yicha tanlov ham bo'lishi kerak muvofiqlashtirish barcha darajalar . Misol uchun, oldingi bosqich uchun Oliy, ikkinchi darajali foydalanish mumkin Pastki quvurlar; Aksincha, oldingi daraja foydalanadi Pastki daraja keyingi bosqichlar uchun ishlatilishi mumkin Yuqori quvurlar.
Kollektor emitentining teskari buzilish kuchlanishi UCEO quvvat manbai kuchlanishidan kattaroq bo'lishi uchun tanlanishi kerak. Penetratsion oqim qanchalik kichik bo'lsa, haroratning barqarorligi shunchalik yaxshi bo'ladi. Oddiy kremniy naychalarining barqarorligi germaniy naychalariga qaraganda ancha yaxshi, ammo oddiy kremniy naychalarining to'yinganlik kuchlanishining pasayishi germaniy naychalariga qaraganda kattaroqdir, bu esa ma'lum sxemalarning ishlashiga ta'sir qilishi mumkin. U sxemaning o'ziga xos holatiga qarab tanlanishi kerak. Tranzistorlarning tarqalish kuchini tanlashda turli davrlarning talablariga muvofiq ma'lum bir chegara qoldirilishi kerak.
Yuqori chastotali kuchaytirish, oraliq chastotani kuchaytirish, osilatorlar va boshqa sxemalarda ishlatiladigan tranzistorlar uchun yuqori chastotali chastotalarda ham yuqori quvvat olish va barqarorlikni ta'minlash uchun yuqori xarakterli chastotali fT va kichik interpole sig'imli tranzistorlar tanlanishi kerak.
