Kommutatsiya quvvat manbai blokining haddan tashqari nurlanishi muammosini qanday hal qilish mumkin

Kommutatsiya quvvat manbai blokining haddan tashqari nurlanishi muammosini qanday hal qilish mumkin

Kommutatsiya quvvat manbai kuchlanishi, oqim o'zgarish tezligi juda yuqori, natijada shovqinning katta intensivligi; shovqin manbalari asosan quvvatni almashtirish davrida to'plangan va issiqlik qabul qiluvchi va yuqori darajadagi transformatorga ulangan, raqamli kontaktlarning zanglashiga olib keladigan shovqin manbai aniqroq; kommutatsiya chastotasi yuqori emas (o'nlab kHz va bir necha megahertzdan), shovqinning asosiy shakli o'tkazuvchanlik shovqini va yaqin maydon shovqinidir.

Yechim ustidagi o'ziga xos individual chastota nuqtalari quyidagicha:

1 MGts ichida:
Differentsial rejim aralashuvi asosiy 1. X sig'imini oshirish; 2. Differensial rejim induktivligini qo'shish; 3. Kichik quvvat manbai PI tipidagi filtrni qayta ishlashdan foydalanish mumkin (transformator yaqinidagi elektrolitik kondansatkichlarni kattaroq tanlash tavsiya etiladi).

1M-5MGts:
Differentsial sensorli shovqinni filtrlash va qaysi turdagi shovqin standartdan oshib ketishini tahlil qilish va uni hal qilish uchun kirish tomoni va bir qator X kondansatkichlaridan foydalangan holda differentsial rejimni umumiy rejimda aralashtirish;

5 MGts:
Yuqorida umumiy teginish shovqini asosan umumiy teginishni bostirish usulidan foydalanish hisoblanadi. Yerga ulangan qobiq uchun, magnit halqali tuproq chizig'ida 2 doira atrofida 10 MGts dan ortiq shovqin bo'ladi, bu ko'proq zaiflashuvga ega (diudiu2006); uchun 25 - 30MHZ lekin erga Y sig'imini oshirish uchun foydalanish mumkin, non mis tashqari transformatorda, PCBLAYOUT o'zgartirish, kichik bir ikki-sim va o'rash ulanish oldida chiqish liniyasi. magnit halqa, chiqish rektifikator trubkasi uchlari va RC filtri atrofida kamida 10 burilish.

1M-5MGts:
Differentsial shovqinni filtrlash va qaysi shovqinni standartdan oshib ketishini tahlil qilish va muammoni hal qilish uchun X sig'imning bir qatoriga parallel ravishda kirish tomonini ishlatib, differensial rejimni umumiy rejimda aralashtirish, 1. Differensial rejim shovqini standartdan oshib ketishi uchun bo'lishi mumkin. X sig'imiga sozlangan, differentsial rejim induktorini, differentsial rejim indüktansını qo'shing; 2. Umumiy tartibli shovqin standartdan oshib ketishi uchun umumiy rejim indüktansına qo'shilishi mumkin, indüktansning oqilona miqdorini inhibe qilish uchun tanlash; 3. Tezkor diodlar juftligi bilan ishlash uchun rektifikator diodining xususiyatlarini o'zgartirishingiz mumkin, masalan, FR107 oddiy rektifikator diodlari 1N4007 juftligi.

5 MGts dan yuqori:
Umumiy teginish shovqini asosiy hisoblanadi va umumiy teginishni bostirish usuli qo'llaniladi.

Yerga ulangan qobiq uchun, magnit halqali er chizig'ida 2-3 burilish atrofida 10 MGts dan ortiq shovqin bo'ladi, ko'proq susaytiruvchi ta'sir ko'rsatadi; transformatorning yadrosi, mis folga yopiq pastadirdan keyin darhol mis folga yopishtirishni tanlashi mumkin. Orqa tomondagi chiqish rektifikatorining assimilyatsiya davri va asosiy katta kontaktlarning zanglashiga olib keladigan sig'imining o'lchami bilan shug'ullaning.

20M-30MGts uchun:
1. Mahsulotlar sinfi uchun Y2 sig'imini erga moslashtirish yoki Y2 kondansatkich o'rnini o'zgartirish uchun foydalanish mumkin;

2. Y1 sig'im holatini va parametr qiymatini asosiy va ikkilamchi tomonlar o'rtasida sozlang;

3. Transformatorning tashqi tomoniga mis folga soling; transformatorning eng ichki qatlamiga himoya qatlamini qo'shing; transformatorning sariqlarini joylashtirishni sozlash.

4. PCB tartibini o'zgartirish;

5. Kichkina umumiy rejim induktorining ikki simli parallel o'rashining ulanishi oldidagi chiqish chizig'i;

6. RC filtrining ikkala uchi bilan parallel ravishda chiqish rektifikatori va oqilona parametrlarni sozlash;

7. Transformator va MOSFET o'rtasida BEADCORE qo'shing;

8. Transformatorning kirish kuchlanish piniga kichik kondansatör qo'shing.

9. MOS haydovchi qarshiligini oshirish uchun foydalanish mumkin.

30M-50MGts:
1. Odatda MOS trubkasini yuqori tezlikda yoqish / o'chirish natijasida yuzaga kelgan, MOS qo'zg'aysan qarshiligini, 1N4007 sekin trubkasi yordamida RCD bufer davrini, 1N4007 sekin trubkasi bilan VCC ta'minot kuchlanishini oshirish orqali hal qilinishi mumkin.

2. 1N4007 sekin trubkasi yordamida RCD bufer davri;

3. Yechish uchun 1N4007 sekin trubkasi bilan VCC ta'minot kuchlanishi;

4. Yoki kichik umumiy tartibli induktorning ikki simli parallel o'rash bilan ketma-ket chiqish liniyasi oldingi uchi;

5. MOSFET ning DS piniga parallel ravishda kichik yutilish sxemasini ulang;

6 . Transformator va MOSFET o'rtasida BEADCORE qo'shing;

7. Transformatorning kirish kuchlanish piniga kichik kondansatör qo'shing;

8. Katta elektrolitik kondansatör, transformator, MOS kontaktlarning zanglashiga olib kelishi mumkin bo'lgan kichik zanjirni tashkil qilganda PCB LAYOUT;

9. transformator, chiqish diodi, chiqish tekis to'lqinli elektrolitik kondansatör elektron halqani iloji boricha kichikroq qilib tashkil qiladi.