Elektron mikroskopni skanerlash texnologiyasi bo'yicha muhokama
SEM test elementlari
1. Materiallar yuzasi morfologiyasini tahlil qilish, mikro-maydon morfologiyasini kuzatish
2. Turli materiallarning shakli, o'lchami, yuzasi, ko'ndalang kesimi va zarracha hajmi bo'yicha taqsimlanishini tahlil qiling
3. Yuzaki morfologiyani kuzatish, turli yupqa plyonka namunalarining plyonka pürüzlülüğü va plyonka qalinligi tahlili
SEM namunasini tayyorlash TEM namunasini tayyorlashdan ko'ra sodda va joylashtirish va bo'limlarni talab qilmaydi.
Namuna so'rovi:
Namuna qattiq bo'lishi kerak; toksik bo'lmagan, radioaktiv bo'lmagan, ifloslantiruvchi, magnit bo'lmagan, suvsiz va barqaror kompozitsiya talablariga javob beradi.
Tayyorlash tamoyillari:
Sirti ifloslangan namuna namunaning sirt tuzilishini buzmasdan to'g'ri tozalanishi va keyin quritilishi kerak;
Yangi singan yoriqlar yoki bo'limlar odatda davolash kerak emas, sinish yoki sirtning strukturaviy holatiga zarar etkazmaslik uchun;
Eroziya qilinadigan namunaning yuzasi yoki sinishi tozalanishi va quritilishi kerak;
Magnit namunalar oldindan demagnetizatsiya qilinadi;
Namuna o'lchami asbobga bag'ishlangan namuna ushlagichining o'lchamiga mos kelishi kerak.
Umumiy usullar:
ommaviy namuna
O'tkazuvchan materialni bloklash: namunani tayyorlash talab qilinmaydi va namuna to'g'ridan-to'g'ri kuzatish uchun namuna ushlagichiga o'tkazuvchan elim bilan yopishtiriladi.
Ommaviy o'tkazmaydigan (yoki yomon o'tkazuvchan) materiallar: zaryad to'planishiga yo'l qo'ymaslik va tasvir sifatiga ta'sir qilish uchun avval namunani davolash uchun qoplama usulidan foydalaning.
kukun namunasi
To'g'ridan-to'g'ri tarqatish usuli:
Ikki tomonlama yopishtiruvchi mis qatlamga yopishtiriladi, sinovdan o'tadigan namunaning zarralari paxta to'plari yordamida to'g'ridan-to'g'ri uning ustiga sochiladi va biriktirilgan va mahkam emas, balki olib tashlash uchun quloqni tozalash to'pi bilan yumshoq puflanadi. qattiq zarralar.
Zarrachalar bilan to'ldirilgan shisha bo'lakni aylantiring, uni tayyorlangan namuna bosqichi bilan tekislang va mayda zarrachalar namuna bosqichiga bir tekis tushishi uchun kichik cımbız yoki shisha tayoqchalar bilan muloyimlik bilan teging.
Ultrasonik dispersiya usuli: oz miqdordagi zarrachalarni stakanga soling, tegishli miqdorda etanol qo'shing va 5 daqiqa davomida ultratovushli tebranish qiling, so'ngra uni mis varaqga tomizgich bilan qo'shing va tabiiy ravishda quriting.
Qoplama usuli
Vakuumli qoplama
Vakuumli bug'lanish bilan qoplash usuli (vakuumli bug'lanish deb ataladi) bug'lanish idishida hosil bo'ladigan xom ashyoni vakuum kamerasida qizdirishdir, shunda atomlar yoki molekulalar bug'lanadi va sirtdan chiqib ketadi, bug 'oqimi hosil qiladi. qattiq jismga tushadi (substrat deb ataladi). yoki substrat) sirt, qattiq plyonka hosil qiluvchi kondensatsiya usuli.
ion sochuvchi qoplama
printsipi:
Ion purkash qoplamasi - musbat gaz ionlarini hosil qilish uchun qisman vakuumlangan püskürtme kamerasida porlashi; katod (maqsad) va anod (namuna) orasidagi kuchlanishning tezlashishi ostida musbat zaryadlangan ionlar katodning sirtini bombardimon qiladi, Katod sirt materiali atomizatsiya qilinadi; hosil bo'lgan neytral atomlar har tomondan sochilib, namuna yuzasiga tushadi va shu bilan namuna yuzasida bir xil plyonka hosil qiladi.
Xususiyatlari:
Qoplanadigan har qanday material uchun, agar uni nishonga aylantirish mumkin bo'lsa, purkash amalga oshirilishi mumkin (bug'lanishi qiyin bo'lgan materiallarni tayyorlash uchun mos keladi va yuqori tozalikdagi birikmalarga mos keladigan yupqa plyonkali materiallarni olish oson emas). );
Püskürtme yo'li bilan olingan plyonka substrat bilan yaxshi bog'langan;
Qimmatbaho metallarni iste'mol qilish kamroq, har safar taxminan bir necha milligramm;
Cho'kish jarayoni yaxshi takrorlanuvchanlikka ega, plyonka qalinligini nazorat qilish mumkin va shu bilan birga, katta maydonli substratda bir xil qalinlikdagi plyonka olinishi mumkin.
Cho'kish usuli: to'g'ridan-to'g'ri to'qnashuv, radiochastotali purkash, magnetronli püskürtme, reaktiv püskürtme.
1. To'g'ri to'lqinli to'lqinlar
U kamdan-kam qo'llaniladi, chunki cho'kish tezligi juda past ~0.1mkm/min, substrat qiziydi, maqsad o'tkazuvchan, yuqori doimiy kuchlanish va yuqori havo bosimi bo'lishi kerak.
Afzalliklari: oddiy qurilma, boshqarish oson, qoliplarning yaxshi takrorlanishi.
Kamchiliklari: yuqori ish bosimi (10-2Torr), yuqori vakuum pompasi ishlamaydi;
Past yotqizish tezligi, substrat haroratining yuqori ko'tarilishi, faqat metall nishonlardan foydalanish mumkin (izolyatsiya qiluvchi nishonlar ijobiy ionlarning to'planishiga olib keladi)
2. RF ning sochilishi
RF chastotasi: 13,56 MGts
Xususiyatlari:
Elektronlar tebranish harakatini bajaradi, bu yo'lni uzaytiradi va endi yuqori kuchlanishga muhtoj emas.
Izolyatsiya qiluvchi dielektrik yupqa plyonkalar radiochastotalarni purkash orqali tayyorlanishi mumkin
RF püskürtmenin salbiy yon ta'siri uni doimiy to'lqinli oqimga o'xshash qiladi.
3. Magnetronning chayqalishi
Printsip: Elektron harakati yo'nalishini o'zgartirish, elektronlarning traektoriyasini cheklash va kengaytirish, elektronlarning ish gaziga ionlanish ehtimolini yaxshilash va elektronlarning energiyasidan samarali foydalanish uchun magnit maydondan foydalaning. Shuning uchun nishonga musbat ionlarning bombardimon qilinishi natijasida hosil bo'lgan maqsadli chayqalish samaraliroq bo'ladi va havo bosimi pastroq sharoitlarda püskürtülmesi mumkin. faqat o'z vaqtida yotqizilishi mumkin bo'lgan substratlarda.
